负微分电阻效应

　　，负微分电阻一般是指n型的GaAs 和 InP等双能能谷半导体中由于电子转移效应（Transferred-electr on effect）而产生的一种效果——电压增大、电流减小所呈现出的电阻。

　　NDR effect（negative differential resistance effect）

　　NDR effect（negative differential resistance effect）是指一些电路或

　　也会增加，负阻特性恰好与电阻的特性相反。电压随电流变化的情形可以用微分电阻（differential resistance）r表示：

　　没有一个单一的电子元件，可以在所有工作范围都呈现负阻特性，不过有些二极管（例如

　　也有类似的负阻特性。负阻元件在电子学中可制作双稳态的切换电路及频率接近

　　右图1绘出一个理想负电阻的电流-电压关系，其斜率为负值。而一般电阻的斜率为正值。

　　的电流-电压关系图中都有一个区域，其微分电阻为负值。这些元件和电阻一様也有二个端子，不过不是线性元件。

　　若和其他元件组合成电路时，也会有负电阻的特性。若要有理想负电阻的特性，电路中需要有主动元件提供能量。因为当电流流过负电阻时，负电阻即为一能量源。

　　依欧姆定律，电阻二端的电压和电流成正比，其电流-电压关系的图形斜率为正，且会通过原点。理想负电阻其电流-电压关系的图形斜率为负，且会通过原点，因此只在图1中的第二和第四象限出现。像隧道二极管之类的元件，其斜率为负的部分未通过原点，因此隧道二极管中没有能量源。

　　隧道二极管有重掺杂的半导体接面，其转换曲线为N型，部分区域有负阻特性。

　　也可以设计成有负阻特性。其他有负阻特性的二极管一般会有S型转换曲线。当对元件施加偏压，使工作点在负阻区域时，这些元件可以作为

　　，也可以对元件施加偏压，使得在电压变化时，元件可以在二个状态之间快速的切换。

　　利用由运算放大器组成的负阻抗转换器可以产生负电阻的电路。二个电阻R1及运算放大器构成了一个负回授的非反向型放大器，增益为2。若

　　等会和有施加偏压的负阻元件相接。负阻元件可以抵消振荡电路中电阻带来的能量损失，使振荡电路可以持续振荡。这类电路多半是用在

　　隧道二极管高度非线性的特性可用在混频器中，隧道混频器若配合偏压，使隧道二极管工作在负阻的区域，隧道混频器的转换增益至少会提高20 dB。

　　无线电天线设计的领域也会用到负阻的概念，一般会称为负阻抗。天线上常会配合主动元件，再利用一到多个主动元件来产生显著的负阻抗。

　　负阻抗也可以用来抵消正阻抗的影响，例如抵消电压源中的内阻或是使电流源的内阻变成无限大。此技术已用在电路线的中继器及类似Howland电流源（Howland current source）、Deboo 积分器（Deboo integrator）及负载抵消电路等